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NSV60600MZ4T1G晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 60 V 6 A 100MHz 800 mW 表面贴装型 SOT-223(TO-261)

2025-4-26 9:00:00
  • NSV60600MZ4T1G晶体管 - 双极 (BJT)

NSV60600MZ4T1G晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 60 V 6 A 100MHz 800 mW 表面贴装型 SOT-223(TO-261)

零件状态

在售

晶体管类型

PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值)

6 A

电压 - 集射极击穿(最大值)

60 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)

350mV @ 600mA,6A

电流 - 集电极截止(最大值)

100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)

120 @ 1A,2V

功率 - 最大值

800 mW

频率 - 跃迁

100MHz

工作温度

-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

TO-261-4,TO-261AA

供应商器件封装

SOT-223(TO-261)

基本产品编号

NSV60600