英飞凌近日宣布推出全球首款20微米厚度的超薄硅功率晶圆，使其成为首个掌握此项先进加工技术的企业。新晶圆的直径为300毫米，其厚度仅为头发丝的四分之一，比当前业界普遍使用的40-60微米晶圆薄了一半。
英飞凌技术突破的影响
英飞凌科技的首席执行官Jochen Hanebeck表示，新型超薄硅晶圆代表了企业在推动功率半导体技术方面的重要进展，有助于在全球追求低碳化和数字化的趋势中创造更多价值。这一技术不仅展现了英飞凌在Si、SiC和GaN等半导体材料领域的优势，也巩固了其行业创新的领先地位。
20微米超薄功率晶圆的主要优势包括：
热性能改进：更薄的晶圆可以提升散热性能，减少芯片在运作中的热量积累，确保稳定运行。
性能提升：晶圆厚度减半可降低基板电阻约50%，从而减少功率损耗，尤其适用于高端AI服务器的功率转换需求。
封装适应性：超薄晶圆可以支持更紧凑的封装设计，提升功率密度并减少芯片体积和重量。
面对挑战，英飞凌采用了创新的晶圆研磨工艺，并开发了应对翘曲问题的专利技术，以确保生产精度和器件可靠性。
英飞凌在功率半导体市场的地位
英飞凌在全球功率半导体市场拥有显著的份额，占比22.8%，继续在技术创新和市场占有方面保持领先。凭借全面的功率产品线，包括Si、SiC、GaN等，英飞凌不断拓展其市场影响力。
英飞凌在马来西亚的碳化硅晶圆厂项目标志着功率半导体制造能力的进一步提升，这可能重新定义全球市场格局。
对全球和国内市场的影响
全球功率半导体市场正在平稳增长，预计到2024年市场规模将达到522亿美元。英飞凌在Si、SiC和GaN技术上的优势地位可能加剧市场竞争，尤其对国内功率半导体厂商构成挑战。
中国市场作为全球功率半导体需求的大头，正迎头赶上，涌现了许多具影响力的国产厂商。然而，国产企业仍需在核心技术和高端市场上加快追赶步伐，以应对国际领先厂商的竞争压力和技术迭代带来的挑战。
总结
尽管全球功率半导体市场增长趋缓，但技术革新和市场竞争依旧激烈。对于国内厂商而言，提升技术研发能力和新生产能力至关重要，以便在国际舞台上取得更大竞争优势。
