英飞凌近日发布了一款全球最薄的硅功率晶圆，达到20μm厚度，成为首家掌握该项技术的公司。这款晶圆的厚度仅为常见40-60μm晶圆的一半，直径为300mm。
英飞凌首席执行官Jochen Hanebeck表示，该超薄晶圆技术不仅展示了英飞凌在功率半导体技术上的进步，还标志着在节能功率解决方案领域的重要发展，有助于响应全球低碳化和数字化趋势。借助这一技术突破，英飞凌掌握了硅（Si）、碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）三种材料，巩固了行业创新的领先地位。
作为全球功率半导体的领导者，英飞凌在推出20μm超薄晶圆后，进一步扩大了在这一领域的优势。对于国内功率半导体企业来说，技术升级带来了更大的挑战。
20μm超薄晶圆的优势从40-60μm到20μm的厚度减少带来了显著优势。首先，它提升了功率器件的散热性能，从而增强了芯片的稳定性。此外，晶圆厚度减半可降低基板电阻50%，减少功率损耗超过15%。特别是在高端AI服务器中，这对于降低工作电压和提升功率转换效率至关重要。超薄晶圆还支持更小型的封装，有助于减小体积和提升功率密度。
不过，采用如此薄的晶圆需要克服技术挑战，如改善传统的晶圆减薄工艺，解决薄晶圆的翘曲问题，英飞凌已研发出专利技术应对这些困难。新技术已经应用于英飞凌的集成智能功率级产品中，并交付给首批客户。
全球市场的潜在变化2023年，英飞凌占据了全球功率半导体市场22.8%的份额，大幅领先于竞争对手安森美和意法半导体。英飞凌的产品涵盖IGBT、功率MOSFET及各种驱动器和电源转换器，利用硅、碳化硅及氮化镓技术。
推出基于20μm晶圆的新技术后，英飞凌可能进一步提升市场主导地位。同时，该公司在9月12日宣布的300 mm氮化镓技术也将推动GaN功率半导体市场的增长。此外，英飞凌在马来西亚的SiC晶圆厂已启动，这有可能改变当前的市场格局。
尽管中国是全球最大的功率半导体市场，占全球市场约40%，国产厂商仍面临与国际领先企业在核心技术上的差距。尤其在SiC和GaN技术上，国内企业起步稍晚，需要加快产业布局和技术研发，以迎接前沿技术带来的挑战。
