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NVHL1000N170M1碳化硅(SiC)MOSFET

2025-8-12 19:00:00
  • NVHL1000N170M1碳化硅(SiC)MOSFET

NVHL1000N170M1碳化硅(SiC)MOSFET
onsemi NVHL1000N170M1碳化硅(SiC)MOSFET是一款1700V M1平面器件,优化用于快速开关应用。该平面技术可在栅极处于负栅极电压驱动和关断尖峰状态下可靠工作。该N沟道ElteSiC MOSFET由20V栅极驱动时具有最佳性能,但也可与18V栅极驱动配合使用。
特性

_栅极-源极电压为20V时,漏极-源极导通电阻为960mΩ
_超低栅极电荷:14nc
_高速开关,电容低至11pF
_N 沟道

_100%经雪崩测试
_符合AEC−Q101标准并具有PPAP功能
_TO-247-3LD外壳
_无卤,符合RoHS指令,具有7a豁免、无铅2LI(二级互连)

应用

_反激式转换器
_电动汽车和混合动力电动汽车

规范

_最大漏极-源极电压:1700
_最大栅极-源极电压为-15V/+25V,推荐工作电压为-5V/+20V
_最大连续漏极电流范围:3.0A(+100°C时)至4.2A(+25°C时)
_最大功耗范围:24W(+100°C时)至48W(+25°C时)

_最大脉冲漏极电流:14A
_最大源极电流(体二极管):9.5A
_最大单脉冲漏极-源极雪崩能量:24mJ
_工作结温范围:-55 °C至+175 °C
_+270°C最高焊接温度