零件状态
在售
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
50A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
15 毫欧 @ 25A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
65.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±18V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
3525 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
58W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
等级
汽车级
资质
AEC-Q101
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
DPAK
封装/外壳
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
基本产品编号
STD45
