制造商: Toshiba

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOT-23F-3

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 60 V

Id-连续漏极电流: 650 mA

Rds On-漏源导通电阻: 1.8 Ohms

Vgs - 栅极-源极电压: - 12 V, + 12 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 1.3 V

Qg-栅极电荷: 1.5 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 1.5 W

通道模式: Enhancement

资格: AEC-Q101

商标名: MOSV

系列: SSM3K357R

封装: Reel

封装: Cut Tape

商标: Toshiba

配置: Single

正向跨导 - 最小值: 500 mS

产品类型: MOSFET

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