Microchip Technology MSCSM 120 x MOSFET电源模块是高效转换器，采用厚铜Si
3N
4 基板，可提高散热性能。这些模块采用薄型设计，可直接安装到散热片（隔离式封装）、内部热敏电阻（用于温度监控）以及扩展温度范围。MSCSM120x模块的反向工作电压 (V
R) 为1.2kV，栅极-源极电压范围 (V
GS) 为-10V至25V，功率耗散 (P
d) 为310W/560W，连续漏极电流 (I
d) 为 79A/150A。该系列模块适用于高可靠性 电源系统、高效交流/直流和直流/交流转换器、电机控制以及交流开关等应用。
特性
- SiC电源MOSFET：
- 碳化硅肖特基二极管
- 零反向恢复
- 零正向恢复
- 与温度无关的开关行为
- VF上的正温度系数
- 超低重量和超薄尺寸
- 开尔文源极，便于驱动
- 厚铜Si3N4基板，可提高散热性能
- 内部热敏电阻器，用于温度监控
- 扩展温度范围
- 高效率转换器
- 在高频工作时具有出色的性能
- 直接安装到散热器（隔离式封装）
- 符合RoHS指令
- 可焊接端子，用于电源和信号，便于PCB安装
- 高度集成的电源转换系统
规范
- 反向电压 (VR)：1.2kV
- 栅极-源极电压范围 (VGS) ： - 10V至25V
- 功率耗散 (PD) ：310W/560W
- 连续漏极电流 (ID) ：79A/150A
- 上升时间：30ns
- 下降时间：25ns
- 漏极 - 源极电阻：16mΩ/31mΩRDS(ON)
- 工作温度范围：-55°C至175°C
