产品型号：FGH60N60SMD 编号：512-FGH60N60SMD
制造商编号：
FGH60N60SMD
制造商：onsemi / Fairchild
客户编号:
说明：
IGBT 晶体管 600V/60A Field Stop IGBT ver. 2
数据表:
FGH60N60SMD 数据表 (PDF)
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制造商: onsemi
产品种类: IGBT 晶体管
技术: Si
封装 / 箱体: TO-247
安装风格: Through Hole
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 600 V
集电极—射极饱和电压: 1.9 V
栅极/发射极最大电压: - 20 V, 20 V
在25 C的连续集电极电流: 120 A
Pd-功率耗散: 600 W
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
系列: FGH60N60SMD
封装: Tube
商标: onsemi / Fairchild
栅极—射极漏泄电流: 400 nA
产品类型: IGBT Transistors
30
子类别: IGBTs
单位重量: 6.390 g
