bychip可替代FR3505

bychip可替代FR3505导读

由于NMOS管的阈值电压是正的，PMOS的阈值电压是负的，所以工程师们通常会去掉阈值电压前面的符号。一个工程师可能说，"PMOS Vt从0.6V上升到0.7V"， 实际上PMOS的Vt是从-0.6V下降到-0.7V。

金属极就是GATE，而半导体端就是backgate或者body。图示中的器件有一个轻掺杂P型硅做成的backgate。他们之间的绝缘氧化层称为gate dielectric(栅介质)。

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MOS管全名为：金属 (Metal)—氧化物 (Oxide)—半导体 (Semiconductor)场效应晶体管。

P型衬底在 MOS管内部是和 源级（S）相连。

在P型衬底和两个N型半导体 之间加一层 二氧化硅（SiO?）绝缘膜，然后通过多晶硅引出引脚组成栅极（G）。

我们先来看一下MOS管的输出特性曲线，MOS管的输出特性可以分为三个区：夹断区(截止区)、恒流区、可变电阻区。在一定的Vds下，D极电流 Id 的大小是与 G极电压Vgs有关的。

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IRF9335TRPBF

AP2310GN、AP2310N、AP2625GY、AP4407GM、AP4575GM、AP6906GH-HF、AP85U03GH-HF、AP9575AGH、AP9575GM、APM1403ASC-TRL。

金属栅极被置于氧化物层之上，而这层氧化物又被放置在半导体材料的表面上。

AM4902N-T1-PF、AO3402、AO3402、AO3414、AO3415、AO3416、AO3419、AO3421E、AO3460、AO4286 。

FDS4435-NL 、2SJ168、2SJ245S、2SJ327-Z-E1-AZ、2SJ355、2SJ356、2SJ668、2SK1273、2SK1470 。

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?场效应管(FET)，把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的跨导， 定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。

如果GATE电压超过了阈值电压，在GATE电介质下就出现了channel。Drain和backgate之间的PN结反向偏置，所以只有很小的电流从drain流向backgate。

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