制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOIC-8
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 2 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 8 A
Rds On-漏源导通电阻: 28.2 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2 W
通道模式: Enhancement
封装: Reel
封装: Cut Tape
商标: Infineon Technologies
配置: Dual
下降时间: 24 ns
高度: 1.75 mm
长度: 4.9 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 27 ns
2500
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 2 N-Channel
典型关闭延迟时间: 18 ns
典型接通延迟时间: 9.1 ns
宽度: 3.9 mm
单位重量: 540 mg
