制造商: onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 900 V
Id-连续漏极电流: 6 A
Rds On-漏源导通电阻: 2.3 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: - 30 V, + 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Qg-栅极电荷: 40 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 56 W
通道模式: Enhancement
商标名: QFET
系列: FQPF6N90C
封装: Tube
商标: onsemi / Fairchild
配置: Single
下降时间: 60 ns
正向跨导 - 最小值: 5.5 S
高度: 16.07 mm
长度: 10.36 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 90 ns
1000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: MOSFET
典型关闭延迟时间: 55 ns
典型接通延迟时间: 35 ns
宽度: 4.9 mm
零件号别名: FQPF6N90C_NL
单位重量: 2 g
Fairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。
它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。
