制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
RoHS: 详细信息
产品: IGBT Silicon Modules
配置: 3-Phase Inverter
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1.2 kV
集电极—射极饱和电压: 1.85 V
在25 C的连续集电极电流: 150 A
栅极—射极漏泄电流: 100 nA
Pd-功率耗散: -
封装 / 箱体: Econo 3
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 150 C
封装: Tray
商标: Infineon Technologies
栅极/发射极最大电压: 20 V
安装风格: Chassis Mount
产品类型: IGBT Modules
系列: Trenchstop IGBT4 - T4
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子类别: IGBTs
技术: Si
商标名: TRENCHSTOP EconoPIM
单位重量: 300 g
EconoPIM™ 3 1200 V、75 A 三相 PIM IGBT 模块，采用快速 TRENCHSTOP™ IGBT4、第四代发射极控制二极管和温度检测 NTC。也适用导热界面材料。集成了整流器和制动斩波器的 PIM（功率集成模块）可节省系统成本。它们可以使用 Econo2 和 Econo3 封装，也可以使用焊接或 PressFIT 引脚。
ꄴ上一个： FP50R12KT4G
ꄲ下一个： 无
特征描述:
低杂散电感模块设计
高可靠性和高功率密度
铜基板用于优化散热
可焊接引脚
低开关损耗
高开关频率
符合 RoHS 的模块
优势:
紧凑型模块概念
优化的客户开发周期和成本
配置灵活性
