制造商: STMicroelectronics
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS: 详细信息
晶体管极性: N-Channel
技术: Si
Id-连续漏极电流: 2.5 A
Vds-漏源极击穿电压: 40 V
Rds On-漏源导通电阻: -
工作频率: 1 GHz
增益: 17 dB
输出功率: 3 W
最小工作温度: - 65 C
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: PowerSO-10RF-Formed-4
封装: Tube
商标: STMicroelectronics
通道模式: Enhancement
配置: Single
正向跨导 - 最小值: 1 S
高度: 3.5 mm
长度: 7.5 mm
湿度敏感性: Yes
Pd-功率耗散: 31.7 W
产品类型: RF MOSFET Transistors
系列: PD55003-E
400
子类别: MOSFETs
晶体管类型: LDMOS FET
类型: RF Power MOSFET
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
宽度: 9.4 mm
单位重量: 3 g
