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SI1539CDL-T1-GE3 MOSFET -30V Vds 20V Vgs SC70-6 N&P PAIR

2023-6-2 14:02:00
  • SI1539CDL-T1-GE3 MOSFET -30V Vds 20V Vgs SC70-6 N&P PAIR

SI1539CDL-T1-GE3   MOSFET -30V Vds 20V Vgs SC70-6 N&P PAIR

规格

产品属性 属性值 选择属性

制造商: Vishay

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOT-363-6

晶体管极性: N-Channel, P-Channel

通道数量: 2 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 30 V

Id-连续漏极电流: 700 mA

Rds On-漏源导通电阻: 388 mOhms, 890 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V

Qg-栅极电荷: 3 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 340 mW

通道模式: Enhancement

商标名: TrenchFET

系列: SI1

封装: Reel

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

商标: Vishay Semiconductors

配置: Dual

下降时间: 15 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 25 ns

3000

子类别: MOSFETs

晶体管类型: 1 N-Channel, 1 P-Channel

典型关闭延迟时间: 12 ns

典型接通延迟时间: 26 ns

零件号别名: SI1539CDL-T1-BE3 SI1539CDL-GE3

单位重量: 7.500 mg