IPD90N04S4-04 全新原装现货

2022-12-6 17:28:00
  • IPD90N04S4-04

ET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

40 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

90A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)

4.1 毫欧 @ 90A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

4V @ 35.2mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

43 nC @ 10 V

Vgs(最大值)

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

3440 pF @ 25 V

FET 功能

-

功率耗散(最大值)

71W(Tc)

工作温度

-55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

PG-TO252-3-313

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

基本产品编号

IPD90N

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