产品属性 属性值
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 650 V
Id-连续漏极电流: 31.2 A
Rds On-漏源导通电阻: 99 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3.5 V
Qg-栅极电荷: 118 nC
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 277.8 W
通道模式: Enhancement
资格: AEC-Q101
商标名: CoolMOS
封装: Tube
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 6 ns
高度: 21.1 mm
长度: 16.13 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 11 ns
系列: CoolMOS CFDA
工厂包装数量:240
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 68 ns
典型接通延迟时间: 16 ns
宽度: 5.21 mm
零件号别名: SP000895236 IPW65R11CFDAXK IPW65R110CFDAFKSA1
单位重量: 6 g
