制造商: Toshiba
产品种类: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
技术: GaAs
Vds-漏源极击穿电压: 15 V
Vgs-栅源极击穿电压 : - 5 V
Id-连续漏极电流: 14000 mA
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: 2-16G1B
商标: Toshiba
配置: Single
产品类型: RF JFET Transistors
系列: TIM7785
子类别: Transistors
原装代理
制造商: Toshiba
产品种类: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
技术: GaAs
Vds-漏源极击穿电压: 15 V
Vgs-栅源极击穿电压 : - 5 V
Id-连续漏极电流: 14000 mA
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: 2-16G1B
商标: Toshiba
配置: Single
产品类型: RF JFET Transistors
系列: TIM7785
子类别: Transistors
深圳市毅创辉电子科技有限公司
刘春兰
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