制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
晶体管极性: P-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 90 A
Rds On-漏源导通电阻: 7.4 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Qg-栅极电荷: 240 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 250 W
通道模式: Enhancement
商标名: TrenchFET
封装: Tube
商标: Vishay Semiconductors
配置: Single
下降时间: 300 ns
正向跨导 - 最小值: 20 S
产品类型: MOSFET
上升时间: 190 ns
系列: SUP
工厂包装数量: 500
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 P-Channel
典型关闭延迟时间: 140 ns
典型接通延迟时间: 20 ns
单位重量: 2 g
