BID 系列 IGBT 分立解决方案结合了 MOSFET 栅极和双极晶体管的技术。该系列创建了一个专为高电压和高电流应用而设计的组件。这些器件使用先进的沟槽栅场截止技术来更好地控制动态特性，从而降低集电极-发射极饱和电压 (V CE(sat) ) 并减少开关损耗。此外，由于采用热效率高的 TO-252、TO-247 和 TO-247N 封装，这些器件可以提供更低的热阻 (R th(jc) )，使其成为适用于开关模式电源的 IGBT 解决方案 ( SMPS)、不间断电源 (UPS) 和功率因数校正 (PFC) 应用。
特征
额定电压：600 V 和 650 V
电流范围：5 A 至 50 A
低 V CE(sat)
沟槽栅场终止技术
与快速恢复二极管 (FRD) 共同封装
应用
开关电源
UPS
全氟辛烷磺酸
感应加热
步进电机
逆变器
