制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TSSOP-8
晶体管极性: N-Channel, P-Channel
通道数量: 2 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 20 V
Id-连续漏极电流: 6.7 A, 6.1 A
Rds On-漏源导通电阻: 22 mOhms, 30 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 8 V, + 8 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 600 mV
Qg-栅极电荷: 15 nC, 34 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.6 W, 1.7 W
通道模式: Enhancement
商标名: TrenchFET
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Vishay Semiconductors
配置: Dual
下降时间: 10 ns, 15 ns
正向跨导 - 最小值: 17 S, 22 S
产品类型: MOSFET
上升时间: 10 ns, 25 ns
系列: SI6
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间: 25 ns, 45 ns
典型接通延迟时间: 12 ns, 30 ns
零件号别名: SI6562CDQ-GE3
单位重量: 158 mg
