TLJR476M004R3000_TLJR476M004R3000导读
这里我只针对NMOS驱动电路做一个简单分析： Vl和Vh分别是低端和高端的电源，两个电压可以是相同的，但是Vl不应该超。
TLJR476M004R3000_TLJR476M004R3000
TAJE106K035RNJ
TPC8223-H UPA2750GR 4936 9936 4228GM 。
AO4832 AO4838 CEM3138 DMG4800LSD-13 EMB17A03G FDS6982-NL 。
060310R5%_060312K5%_060315K1%_060315K5%_0603180K5%_。
放大状态:当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压，三极管的发射结正向偏置,集电结反向偏置，这时基极电流对集电极电流起着控制作用，使三极管具有电流放大作用。
TLJR476M004R3000_TLJR476M004R3000
TAJC475M050RNJ
场效应管通过投影一个电场在一个绝缘层上来影响流过晶体管的电流。事实上没有电流流过这个绝缘体，所以FET管的GATE电流非常小。最普通的FET用一薄层二氧化硅来作为GATE极下的绝缘体。
BYP32028 BYS32010 BYJ32027A BYH326 BYH323 。
MOS管是金属 (metal) — 氧化物 (oxide) — 半导体 (semiconductor) 场效应晶体管，或者称是金属 — 绝缘体 (insulator) — 半导体。
BYP336 BYT337 BYS334 BYS345 BYP346 。
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NCE2302D NCE2302F NCE1012E NCE2302B NCE2302 。
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