TAJB155M050RNJ_TAJB155M050RNJ导读
在电子电路中，MOS管和IGBT管会经常出现，它们都可以作为开关元件来使用，MOS管和IGBT管在外形及特性参数也比较相似，那为什么有些电路用MOS管而有些电路用IGBT管。MOS管和IGBT管的区别。
TAJB155M050RNJ_TAJB155M050RNJ
TLJS476M006R1500
TPC8223-H UPA2750GR 4936 9936 4228GM 。
FDS6990-NL HAT2092R HAT2092RJ IRF8313TRPBF MDS5601URH 。
MOSFET具有输入阻抗高、开关速度快、热稳定性好、电压控制电流等特性，在电路中，可以用作放大器、电子开关等用途。 2）、防止MOS管的源极和漏极反接时烧坏MOS管，也可以在电路有反向感生电压时，为反向感生电压提供通路，避免反向感生电压击穿MOS管。关于寄生二极管的作用，有两种解释： 1）、MOSFET的寄生二极管，作用是防止VDD过压的情况下，烧坏MOS管，因为在过压对MOS管造成破坏之前，二极管先反向击穿，将大电流直接到地，从而避免MOS管被烧坏。
。IGBT的结构 IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由晶体三极管和MOS管组成的复合型半导体器件。
TAJB155M050RNJ_TAJB155M050RNJ
TAJA475K020RNJ
BYH343 BYM3411 BYP342 BYS342 BYM345 。
040251K1%_040251R5%_040268K1%_04028.2K5%_0402E4872BITS 。
051N15N5MOS 052N06L 053P04-518 054NE8N 057N06N 。
060322R5%_0603270K5%_0603270R5%_060327K5%_0603330R5%_。
TAJB155M050RNJ_TAJB155M050RNJ
总的来说，MOSFET优点是高频特性好，可以工作频率可以达到几百kHz、上MHz，缺点是导通电阻大在高压大电流场合功耗较大；而IGBT在低频及较大功率场合下表现卓越，其导通电阻小，耐压高。
相关资讯
