TAJA156M016RNJ_TAJA156M016RNJ导读
我们所见的mos管，其实内部由成千上万个小mos管并联而成，大家可能会想成千上万个小mos应该很容易出现一个或几个坏的吧，其实真没那么容易，目前的制造工艺基本保证了这些小单位各种参数高度一致性。而电动车上上用的功率mos是立体结构。小功率mos是平面型结构。
TAJA156M016RNJ_TAJA156M016RNJ
TAJB335M025RNJ
06031.8M5%_0603100K5%_0603100R5%_060310K1%_060310K5%_。
BYP35066A BYP35014A BYF35526A BYP36078A BYI362 。
TAJA104K035RNJ TAJA104K050RNJ TAJA104M035RNJ TAJA104M050RNJ TAJA105K016RNJ TAJA105K020RNJ TAJA105K025RNJ TAJA105K035RNJ TAJA105K050RNJ 。
TAJA225M010RNJ TAJA225M016RNJ TAJA225M020RNJ TAJA225M025RNJ TAJA225M035RNJ TAJA226K004RNJ TAJA226K006RNJ TAJA226K010RNJ TAJA226M004RNJ TAJA226M006RNJ 。
TAJA156M016RNJ_TAJA156M016RNJ
TAJD476M016RNJ
0402220K5%_040222R5%_040225.5K1%_0402270R5%_04022K5%_。
060322R5%_0603270K5%_0603270R5%_060327K5%_0603330R5%_。
049N03MS 04N50C3 04N60C2 04N80C3 04-OC-TLAS03 。
BYH343 BYM3411 BYP342 BYS342 BYM345 。
TAJA156M016RNJ_TAJA156M016RNJ
]区间,MOSFET的DS电压降至与Vgs相同,产生Millier效应，Cgd电容大大增加,栅极电流持续流过，由于C gd 电容急剧增大，抑制了栅极电压对Cgs 的充电,从而使得Vgs 近乎水平状态，Cgd 电容上电压增加,而DS电容上的电压继续减小。
相关资讯
