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BSC109N10NS3G 封装PG-TDSON-8场效应管 贴片N沟100V36A

2024-3-6 15:18:00
  • BSC109N10NS3G

BSC109N10NS3G  封装PG-TDSON-8场效应管 贴片N沟100V36A

深圳市宗天技术开发有限公司 公司经销Infineon,IR,FAIRCHILD,ST,FUJI,TOSHIBA,SANYO等国际**品牌,

专业经营各种场效应管、三极管、IGBT、可控硅、稳压IC、肖特基、快恢复、DIP/SMD系列,

主要应用于锂电池保护板/**无刷电调、电脑主板显卡/无刷电机、太阳能/LED照明电源、

UPS电源/电动车控制器、HID灯/逆变器、电源适配器/开关电源、镇流器、汽车电子等。

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TDSON-8

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 100 V

Id-连续漏极电流: 63 A

Rds On-漏源导通电阻: 10.9 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 3.5 V

Qg-栅极电荷: 35 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 78 W

通道模式: Enhancement

商标名: OptiMOS

封装: Reel

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

商标: Infineon Technologies

配置: Single

下降时间: 5 ns

正向跨导 - 最小值: 29 S

高度: 1.27 mm

长度: 5.9 mm

产品类型: MOSFET

上升时间: 7 ns

系列: OptiMOS 3

5000

子类别: MOSFETs

晶体管类型: 1 N-Channel

典型关闭延迟时间: 19 ns

典型接通延迟时间: 12 ns

宽度: 5.15 mm

零件号别名: SP000778132 BSC19N1NS3GXT BSC109N10NS3GATMA1

单位重量: 300 mg