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新到货IPA60R650CE

2024-4-13 9:08:00
  • 分立半导体晶体管

新到货IPA60R650CE

产品属性 属性值 搜索类似

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-220-3

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 650 V

Id-连续漏极电流: 7 A

Rds On-漏源导通电阻: 650 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V

Qg-栅极电荷: 20.5 nC

最小工作温度: - 40 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 28 W

通道模式: Enhancement

商标名: CoolMOS

封装: Tube

商标: Infineon Technologies

配置: Single

下降时间: 11 ns

高度: 16.15 mm

长度: 10.65 mm

产品类型: MOSFET

上升时间: 8 ns

系列: CoolMOS CE

50

子类别: MOSFETs

晶体管类型: 1 N-Channel

典型关闭延迟时间: 58 ns

典型接通延迟时间: 10 ns

宽度: 4.85 mm

零件号别名: IPA60R650CE SP001276044

单位重量: 2 g

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