製造商: STMicroelectronics
產品類型: IGBT 電晶體
RoHS: 詳細資料
技術: Si
封裝/外殼: TO-247-3
安裝風格: Through Hole
配置: Single
集電極-發射極最大電壓VCEO: 1200 V
集電極-發射極飽和電壓: 1.85 V
柵極發射機最大電壓: 20 V
連續集電極電流在25 C: 16 A
Pd - 功率消耗 : 167 W
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 175 C
系列: STGW8M120DF3
封裝: Tube
品牌: STMicroelectronics
柵射極漏電電流: 250 uA
產品類型: IGBT Transistors
原廠包裝數量: 600
子類別: IGBTs
每件重量: 6 g
