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深圳毅创辉电子供应 NVMFS4C302NWFT1G

2025-8-13 10:50:00
  • www.58chip.com

制造商: onsemi

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SO-8FL-8

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 30 V

Id-连续漏极电流: 241 A

Rds On-漏源导通电阻: 1.15 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 1.3 V

Qg-栅极电荷: 82 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 115 W

通道模式: Enhancement

资格: AEC-Q101

封装: Reel

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

商标: onsemi

配置: Single

下降时间: 9 ns

正向跨导 - 最小值: 135 S

产品类型: MOSFET

上升时间: 18 ns

工厂包装数量: 1500

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 54 ns

典型接通延迟时间: 13 ns

单位重量: 187 mg