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深圳毅创辉电子供应 FQD30N06TM

2025-8-16 15:08:00
  • www.58chip.com

制造商: ON Semiconductor

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TO-252-3

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 60 V

Id-连续漏极电流: 22.7 A

Rds On-漏源导通电阻: 45 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 25 V, + 25 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V

Qg-栅极电荷: 25 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 2.5 W

通道模式: Enhancement

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

配置: Single

高度: 2.39 mm

长度: 6.73 mm

系列: FQD30N06

晶体管类型: 1 N-Channel

宽度: 6.22 mm

商标: ON Semiconductor / Fairchild

下降时间: 40 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 85 ns

工厂包装数量: 2500

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 35 ns

典型接通延迟时间: 10 ns

单位重量: 330 mg