制造商: ROHM Semiconductor
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS: 详细信息
技术: Si
封装 / 箱体: TO-3PFM
安装风格: Through Hole
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 600 V
集电极—射极饱和电压: 1.4 V
栅极/发射极最大电压: 30 V
在25 C的连续集电极电流: 30 A
Pd-功率耗散: 54 W
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 175 C
封装: Tube
商标: ROHM Semiconductor
栅极—射极漏泄电流: 200 nA
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 30
子类别: IGBTs
零件号别名: RGCL60TK60
