高速650V，硬开关IGBT TRENCHSTOP? 在TO-247封装中，5与RAPID 1快速软反并联二极管共同封装，被定义为“同类最佳”IGBT。
英飞凌MOS管场效应管IKW50N65EH5功能概述
1.650 V突破电压
2.与同类最佳的高速3系列相比
3.系数2.5低Qg
4.因数2开关损耗降低
5.VCEsat降低200mV
6.与快速硅二极管技术共同封装
7.低COES/EOS
8.温和的正温度系数VCEsat
9.Vf的温度稳定性
优势
1.最佳连接，从而降低效率
2.外壳温度导致更高的设备可靠性
3.在不影响母线电压的情况下，母线电压可增加50 V
4.可靠性
5.更高功率密度设计
