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IQE006NE2LM5ATMA1

2023-8-21 10:20:00
  • 產品類型: MOSFET RoHS: 詳細資料 技術: Si 安裝風格: SMD/SMT 封裝/外殼: TSON-8-4 晶體管極性: N-Channel 通道數: 1 Channel Vds - 漏-源擊穿電壓: 25 V Id - C連續漏極電流: 298 A Rds On - 漏-源電阻: 650 uOhms Vgs - 閘極-源極電壓: - 16 V, + 16 V Vgs th - 門源門限電壓 : 2 V Qg - 閘極

產品類型: MOSFET

RoHS: 詳細資料

技術: Si

安裝風格: SMD/SMT

封裝/外殼: TSON-8-4

晶體管極性: N-Channel

通道數: 1 Channel

Vds - 漏-源擊穿電壓: 25 V

Id - C連續漏極電流: 298 A

Rds On - 漏-源電阻: 650 uOhms

Vgs - 閘極-源極電壓: - 16 V, + 16 V

Vgs th - 門源門限電壓 : 2 V

Qg - 閘極充電: 28.5 nC

最低工作溫度: - 55 C

最高工作溫度: + 150 C

Pd - 功率消耗 : 89 W

通道模式: Enhancement

公司名稱: OptiMOS

封裝: Cut Tape

封裝: Reel

配置: Single

晶體管類型: 1 N-Channel

品牌: Infineon Technologies

互導 - 最小值: 220 S

下降時間: 5.3 ns

產品類型: MOSFET

上升時間: 2.6 ns

原廠包裝數量: 5000

子類別: MOSFETs

標準斷開延遲時間: 27 ns

標準開啟延遲時間: 5.3 ns

零件號別名: IQE006NE2LM5 SP002434946

每件重量: 650.227 mg