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威世 SI2365EDS-T1-GE3
制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
封装 / 箱体: SOT-23-3
晶体管极性: P-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 20 V
Id-连续漏极电流: 5.9 A
Rds On-漏源导通电阻: 26.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 8 V， + 8 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V
Qg-栅极电荷: 36 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.7 W
通道模式: Enhancement
商标名: TrenchFET
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
配置: Single
高度: 1.45 mm
长度: 2.9 mm
系列: SI2
晶体管类型: 1 P-Channel
宽度: 1.6 mm
商标: Vishay Semiconductors
下降时间: 14 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 21 ns
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 62 ns
典型接通延迟时间: 22 ns
零件号别名: SI4816DY-T1-E3-S
单位重量: 8 mg
系列产品有:SI2365EDS-T1-GE3 C08-场效应管 VISHAY
AAT3693IDH-AA-T1 C02-集成电路（IC） SKYWORKS
T491A104K035AT C23-电容器 KEMET
1-963736-1 C32-端子 TE
DTM04-2P C33-外壳 DEUTSCH
LM2662MX/NOPB C02-集成电路（IC） TI
1-1123724-3 C34-插头插座 TE
42452-2 C32-端子 TE
IPD1-15-D C33-外壳 SAMTEC
776532-1 C33-外壳 TE
776532-1 C33-外壳 TE
440133-5 C33-外壳 TE
MMSZ5232BS-7-F C06-二极管 DIODES INCORPORATED
FMMT617TA C02-集成电路（IC） DIODES INCORPORATED
2138529-1 C40-附件 TE
BZX384-B27，115 C06-二极管 NEXPERIA
PMV250EPEAR C08-场效应管 NEXPERIA
1827395-1 C32-端子 TE
964201-1 C32-端子 TE
172130-1 C33-外壳 TE
IS63LV1024L-10TLI C02-集成电路（IC） ISSI
