mos管是一种结构设计精密的电子元件，是有效的半导体场效应电晶体元件。mos管主要分为两种沟道N型和P型，P沟道mos管的源极和漏极之间是不相通的，当在P沟道的源极上提供足够的正电压时，N型矽表面就会产生P型反型层，从而形成连接漏极和源极之间的沟道，产生稳定的工作效果。
柵极上所增加的柵壓改变的話，会对沟道中聚集的电子密度造成影响，从而沟道所具有的电阻就会改变，根据这种mos管的工作原理，將其称为P沟道增强型场效应电晶体。在N型矽表面沒有施加柵压的情況下，P型反应层就已经出現，那么只要在其中施加一定的偏压就可以改变沟道內的电阻大小，这样的P沟道mos管就称为P沟道耗尽型mos管。另外在P沟道mos管中的空穴迁移率很低，所以在mos管的尺寸和电压处于等值的時候，P沟道mos管就会形成小于N沟道mos管的跨导，並且mos管阈值电压的绝对值相等于其他电晶体更高一些，因此要求工作电压较高。在供电时，电压大小和源极、漏极的极性也会与双极型电晶体产生不相容性，因此在mos管工作过程中，P沟道mos管的充电和放电时间相对较长，且跨导小导致工作速度较低，而N沟道mos管电路的工作速率更高且稳定， 逻辑摆幅更小。
