FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 2.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 1.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 54 毫欧 @ 2.5A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 1.3V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 5nC @ 4.5V
Vgs（最大值） ±10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 370pF @ 10V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 800mW（Ta）
工作温度 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 TUMT3
封装/外壳 3-SMD，扁平引线
