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BSS123W-7-F 原装正品现货 可追溯原厂 可含税出

2025-7-3 9:03:00
  • BSS123W-7-F 制造商:Diodes Incorporated 产品种类:MOSFET 技术:Si 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-323-3 晶体管极性:N-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:100 V Id-连续漏极电流:170 mA Rds On-漏源导通电阻:6 Ohms Vgs - 栅极-源极电压:20 V

BSS123W-7-F

制造商:Diodes Incorporated

产品种类:MOSFET

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-323-3

晶体管极性:N-Channel

通道数量:1 Channel

Vds-漏源极击穿电压:100 V

Id-连续漏极电流:170 mA

Rds On-漏源导通电阻:6 Ohms

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:200 mW

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

配置:Single

高度:1 mm

长度:2.2 mm

产品:MOSFET Small Signal

系列:BSS123W

晶体管类型:1 N-Channel

类型:Enhancement Mode Field Effect Transistor

宽度:1.35 mm

商标:Diodes Incorporated

正向跨导 - 最小值:0.08 S, 0.37 S

下降时间:8 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:8 ns

工厂包装数量:3000

典型关闭延迟时间:13 ns

典型接通延迟时间:8 ns

单位重量:5 mg

深圳市博达晶芯科技有限公司介绍:

公司所销售产品涉及世界各名厂IC,:INFINEON(英飞凌),XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、ATMEL(特梅尔)、STC单片机、英特尔(Intel) 、德州仪器(TI)、飞利浦(Philip)、海力士(Hynix)、MITSUBISHI (三菱)、美国仿真器件(ADI)、国际整流器(IR)、台湾硅成(ICSI)、三星(Samsung)、瑞萨(Renesas)、东芝(Toshiba)、意法(ST)、摩托罗拉(Motorola)、仙童(Fairchid)、美国美商半导体(AMD)、爱特梅尔(Atmel)、安捷伦、 深圳市博达晶芯科技有限公司,全球最专业的配单专家。一手货源! 价格优势!所出的物料,绝对原装正品!放心购买!本公司为一般纳税人,可开13%增值税票!欢迎垂询!

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