数据列表 IXT(A，P)60N10T;_
标准包装 50
包装 管件
零件状态 有源
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列 TrenchMV?
规格
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 18 毫欧 @ 25A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4.5V @ 50μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 49nC @ 10V
Vgs（最大值） ±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2650pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 176W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220AB
封装/外壳 TO-220-3
