BCP56产品详细规格
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 2，500
晶体管类型 NPN
- 集电极电流（Ic）（最大） 1.2A
电压 - 集电极发射极击穿（最大） 80V
Vce饱和（最大）@ IB，IC 500mV @ 50mA， 500mA
电流 - 集电极截止（最大） -
直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE 40 @ 150mA， 2V
功率 - 最大 1W
频率转换 -
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-261-4， TO-261AA
供应商器件封装 SOT-223-4
包装材料 Tape & Reel (TR)
包装 4SOT-223
类型 NPN
引脚数 4
最大集电极发射极电压 80 V
集电极最大直流电流 1.2 A
最小直流电流增益 25@5mA@2V|40@150mA@2V|25@500mA@2V
最大集电极发射极饱和电压 0.5@50mA@500mA V
最大集电极基极电压 100 V
工作温度 -55 to 150 °C
最大功率耗散 1000 mW
安装 Surface Mount
标准包装 Cut Tape
标准包装 Tape & Reel
集电极最大直流电流 1.2
最低工作温度 -55
包装宽度 3.7(Max)
PCB 3
最大功率耗散 1000
欧盟RoHS指令 Compliant
每个芯片的元件数 1
最大集电极基极电压 100
最大集电极发射极电压 80
供应商封装形式 SOT-223
标准包装名称 SOT-223
最高工作温度 150
包装长度 6.7(Max)
包装高度 1.7(Max)
最大基地发射极电压 5
封装 Tape and_Reel
标签 Tab
铅形状 Gull-wing
电流 - 集电极（ Ic）（最大） 1.2A
晶体管类型 NPN
安装类型 Surface Mount
下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 500mV @ 50mA， 500mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大） 80V
供应商设备封装 SOT-223-4
功率 - 最大 1W
封装/外壳 TO-261-4， TO-261AA
直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 40 @ 150mA， 2V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 BCP56FSCT
工厂包装数量 4000
晶体管极性 NPN
发射极 - 基极电压VEBO 5 V
零件号别名 BCP56_NL
安装风格 SMD/SMT
产品种类 Transistors Bipolar - BJT
直流集电极/增益hfe最小值 40
直流电流增益hFE最大值 250
单位重量 0.006632 oz
集电极 - 发射极最大电压VCEO 80 V
配置 Single
最高工作温度 + 150 C
RoHS RoHS Compliant By Exemption
连续集电极电流 1.2 A
系列 BCP56
集电极 - 基极电压VCBO 100 V
最低工作温度 - 55 C
集电极电流（ DC）（最大值） 1.2 A
集电极 - 基极电压 100 V
集电极 - 发射极电压 80 V
发射极 - 基极电压 5 V
功率耗散 1 W
工作温度范围 -55C to 150C
包装类型 SOT-223
元件数 1
直流电流增益（最小值） 25
工作温度分类 Military
弧度硬化 No
直流电流增益 25
集电极电流（DC ） 1.2 A
Collector Emitter Voltage V(br)ceo :80V
功耗 :1W
DC Collector Current :1.2A
DC Current Gain hFE :40
Operating Temperature Min :-55°C
Operating Temperature Max :150°C
Transistor Case Style :SOT-223
No. of Pins :4
MSL :-
SVHC :No SVHC (20-Jun-2013)
Application Code :GP
Av Current Ic :1A
Collector Emitter Voltage Vces :500mV
连续集电极电流Ic最大 :1.2A
Current Ic Continuous a Max :1.2A
Current Ic hFE :150mA
Hfe Min :40
No. of Transistors :1
工作温度范围 :-55°C to +150°C
Power Dissipation Ptot Max :1W
SMD Marking :BCP56
Voltage Vcbo :100V
Weight (kg) 0.00012
Tariff No. 85412900
associated RE901
BCP56
据悉，这款芯片组将使用三星的5nm LPE工艺制造，并可能使用ARM未公布的Mali MP20 GPU。谷歌有可能在其未来的Pixel智能手机（中端机型可能首发）、Chrome OS设备，甚至是数据中心服务器中使用这款即将推出的芯片组。
此外，三星证实，他们将直接与AMD合作开发新的移动GPU，这可能会大大提高其Exynos芯片组的性能。
去年，外媒曾报道称，谷歌正从博通、英特尔、英伟达和高通那挖来芯片设计师，以打造自己的智能手机和服务器芯片组，并减少对英特尔和高通等供应商的依赖。
去年2月，该公司在印度班加罗尔成立了新的芯片团队gChips，该团队由16名工程师组成。资料显示，这16名工程师是分别从英特尔、高通、博通、英伟达等传统芯片制造商那里挖来的，这些工程师都拥有丰富的芯片研发经验。
此外，据外媒报道，今年早些时候，三星在其设备解决方案业务部门内创建了新的“ Custom SoC”团队，该团队可能为Facebook的Oculus AR/VR产品打造芯片组。
最近，关于三星Exynos芯片与骁龙芯片等同类产品之间的性能较量话题引发了大量讨论。一些用户甚至在网上提交了一份请愿书，要求三星停止在其手机中使用自己的Exynos芯片组，转而使用高通的芯片组。因为与高通芯片相比，三星的Exynos芯片组表现更差。不仅如此，这份请愿书还建议三星将自己的摄像头传感器换成索尼的。
该请愿书声称，三星的Exynos芯片组在处理速度、热量管理和功耗方面比高通的骁龙芯片表现得更差。搭载Exynos SoC芯片的手机存在运行速度较慢、电池寿命较短、过热等问题。
AOZ8808DI-05、AOZ1284PI、AOZ1280CI、AOT11N70、AON7934、AON7544、AON7534、AON7524、AON7520、AON7506、AON7423、AON7421、AON7418、AON7410、AON7409、AON7407、AON7405、AON7403、AON7401、AON7296、AON7264E、AON6522、AON6512、AON6508、AON6504、AON6414AL、AON6262E、AON5820、AON2801、AOD603A、AOD516、AOD484、AOD482、AOD478、AOD444、AOD4185、AOD4184L、AOD4184A、AOD4132、AOD413A、AOD409、AOD417、AOD407、AOD403、AO8822、AO8810、AO3414、AO3402、AO4606、AO4485、AO4453、AO4447AL、AO4443、AO4468、AO4435、AO4421、AO4419、AO4407AL、AO4406AL、AO4354、AO4292、AO4264E、AO3485、AO3481、AO3480、AO3423、AO3422、AO3416、AO3415AL、AO3415、AO3407A、AO3401A、AO3400A
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