连续漏极电流(Id)(25°C 时) 18A
漏源电压(Vdss) 100V
栅源极阈值电压(最大值) 3V @ 250uA
漏源导通电阻(最大值) 100 mΩ @ 16A,10V
类型 P 沟道
功率耗散(最大值) 70W
查
NCE01P18K 原装NCE 场效应管MOSFET-P -100V -18A 贴片TO-252
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 18A
漏源电压(Vdss) 100V
栅源极阈值电压(最大值) 3V @ 250uA
漏源导通电阻(最大值) 100 mΩ @ 16A,10V
类型 P 沟道
功率耗散(最大值) 70W
查
深圳市洪兴微电子有限公司
张小贤
13590219551
0755-82548551
深圳市福田区都会电子城1B052