一般说明
AO4805采用先进的沟槽技术提供出色的R DS（ON）和超低低栅极充电电压为25V栅极。该设备是合适的用作负载开关或PWM应用
数据列表 AO4805 Datasheet;_
SO8 Pkg Drawing;_
标准包装 3，000
包装 标准卷带
零件状态 在售
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
系列 -
规格
FET 类型 2 个 P 沟道（双）
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压（Vdss） 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 9A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 19 毫欧 @ 8A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.8V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 39nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2600pF @ 15V
功率 - 最大值 2W
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装 8-SOIC
AO3400 AO
AO3401 AO
AO3401A AO
AO3402 AO
AO3407 AO
AO3407 AO
AO3415 AO
AO3416 AO
AO4600 AO
AO7800 AO
AO7801 AO
AOD412 AO
AOD444 AOS
AOD452 AO
AOD472A AO
AOT-0603P-B01-V AOT
AOT10N60 AO
AOT430 AO
AOU401 AO
AOU417 AO
AOZ8212CI-05L
