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IRFP90N20DPBF数据表
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 200 V
Id-连续漏极电流: 94 A
Rds On-漏源导通电阻: 23 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
Qg-栅极电荷: 180 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 580 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Tube
高度: 20.7 mm
长度: 15.87 mm
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 5.31 mm
商标: Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值: 39 S
下降时间: 79 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 160 ns
工厂包装数量: 400
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 43 ns
典型接通延迟时间: 23 ns
零件号别名: SP001552070
单位重量: 38 g
