SI2308BDS-T1-GE3 vishay MOSFET N-CH 60V 1.9A 3-Pin SOT-23
SI2308BDS-T1-GE3产品详细规格
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 3，000
FET 型 MOSFET N-Channel， Metal Oxide
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压（VDSS） 60V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C 2.3A
Rds（最大）@ ID，VGS 156 mOhm @ 1.9A， 10V
VGS（TH）（最大）@ Id 3V @ 250μA
栅极电荷（Qg）@ VGS 6.8nC @ 10V
输入电容（Ciss）@ Vds的 190pF @ 30V
功率 - 最大 1.66W
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-236-3， SC-59， SOT-23-3
供应商器件封装 SOT-23-3 (TO-236)
包装材料 Tape & Reel (TR)
包装 3SOT-23
通道模式 aEnhancement
最大漏源电压 60 V
最大连续漏极电流 1.9 A
RDS -于 156@10V mOhm
最大门源电压 ±20 V
典型导通延迟时间 15 ns
典型上升时间 16 ns
典型关闭延迟时间 11 ns
工作温度 -55 to 150 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
最大门源电压 ±20
包装宽度 1.4(Max)
PCB 3
最大功率耗散 1090
最大漏源电压 60
欧盟RoHS指令 Compliant
最大漏源电阻 156@10V
每个芯片的元件数 1
最低工作温度 -55
供应商封装形式 SOT-23
标准包装名称 SOT-23
最高工作温度 150
渠道类型 N
包装长度 3.04(Max)
引脚数 3
包装高度 1.02(Max)
最大连续漏极电流 1.9
封装 Tape and_Reel
铅形状 Gull-wing
FET特点 Logic Level Gate
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C 2.3A (Tc)
的Vgs（th ） （最大）@ Id 3V @ 250μA
漏极至源极电压（Vdss） 60V
供应商设备封装 SOT-23-3 (TO-236)
开态Rds（最大）@ Id ，V GS 156 mOhm @ 1.9A， 10V
FET型 MOSFET N-Channel， Metal Oxide
功率 - 最大 1.66W
输入电容（Ciss ） @ VDS 190pF @ 30V
闸电荷（Qg ） @ VGS 6.8nC @ 10V
封装/外壳 TO-236-3， SC-59， SOT-23-3
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 SI2308BDS-T1-GE3CT
类别 Power MOSFET
配置 Single
外形尺寸 3.04 x 1.4 x 1.02mm
身高 1.02mm
长度 3.04mm
最大漏源电阻 0.156 Ω
最高工作温度 +150 °C
最大功率耗散 1.09 W
最低工作温度 -55 °C
包装类型 SOT-23
典型栅极电荷@ VGS 2.3 nC V @ 4.5， 4.5 nC V @ 10
典型输入电容@ VDS 190 pF V @ 30
宽度 1.4mm
工厂包装数量 3000
产品种类 MOSFET
晶体管极性 N-Channel
源极击穿电压 +/- 20 V
连续漏极电流 1.9 A
安装风格 SMD/SMT
RDS（ON） 156 mOhms
功率耗散 1.09 W
封装/外壳 SOT-23-3
零件号别名 SI2308BDS-GE3
上升时间 16 ns
漏源击穿电压 60 V
RoHS RoHS Compliant
下降时间 16 ns
漏极电流（最大值） 1.9 A
频率（最大） Not Required MHz
栅源电压（最大值） ?20 V
输出功率（最大） Not Required W
噪声系数 Not Required dB
工作温度范围 -55C to 150C
极性 N
类型 Power MOSFET
元件数 1
工作温度分类 Military
漏极效率 Not Required %_
漏源导通电压 60 V
功率增益 Not Required dB
弧度硬化 No
删除 Compliant
Continuous Drain Current Id :2.3A
Drain Source Voltage Vds :60V
On Resistance Rds(on) :192mohm
Rds(on) Test Voltage Vgs :20V
Threshold Voltage Vgs :3V
Weight (kg) 0
Tariff No. 85412900
功耗 :1.09W
Operating Temperature Min :-55°C
Operating Temperature Max :150°C
Transistor Case Style :SOT-23
No. of Pins :3
MSL :MSL 1 - Unlimited
Current Id Max :1.9A
工作温度范围 :-55°C to +150°C
Voltage Vgs Max :20V
2019华为智能计算机大会杭州站顺利举行。活动现场，华为公司携手生态合作伙伴共同聚焦ARM产业发展，创新发布大数据、分布式存储、ARM原生、高性能计算和数据库应用领域TaiShan服务器五大解决方案。
其中，备受关注的华为TaiShan服务器解决方案，通过聚焦特定应用场景，充分发挥鲲鹏ARM处理器多核架构、高并发的计算优势，将高效能计算带入每一个数据中心，帮助客户面向应用持续优化计算性能和数据中心的运维成本。
随着数字化的发展，世界正走向智能化，计算不仅仅局限于数据中心，也包括广大的边缘计算场景。“应用场景的多样性带来了数据多样性，没有一个单一的计算架构能够满足所有场景、所有数据类型的处理，因此，多种计算架构并存是未来计算的发展之路。”华为中国智能计算业务部总裁万志在会上说道。他表示，华为在计算芯片领域15年持续研发投入，构筑了华为智能计算的核心价值。今后，华为将继续秉承以客户为中心，团结广大合作伙伴，共同做大做强计算产业。
一直以来，华为智能计算都致力于万物互联的智能世界，突破算力瓶颈，提供强大的多样化算力支撑。华为智能计算TaiShan&Atlas领域总裁张熙伟介绍，TaiShanARM服务器是华为智能计算最用“芯”之作，是华为在芯片和计算领域长期投资和技术积累的结晶。“我相信TaiShan服务器解决方案能够为客户提供最佳的计算体验，将高效能计算带入每一个数据中心。”他表示。
活动现场，亚信安全、韩国TMax集团和上海爱数等华为合作伙伴现场分享了基于TaiShan服务器创新合作的案例。浙江大学计算机学院人工智能研究所所长吴飞则从教育视角，同与会人员分享人工智能的产业趋势。
据悉，华为将ARM计算平台定位为多样性计算的核心组成部分，于2019年1月发布的鲲鹏920ARM处理器及TaiShan服务器，创造了计算性能新纪录。华为智能计算将围绕“芯开始，让智能计算无所不及”的理念，布局“3+1”智能计算产业战略，从x86、AI和ARM三个计算平台进行战略布局，满足端、边、云全场景下的计算需求，并在此基础上构建华为全栈全场景AI解决方案。
下一步，华为将和生态合作伙伴一起，构建一个面向三大平台的智能计算生态联盟，共同为客户实现数字化转型，迈向智能化时代提供智能计算的底座。
