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FQPF12N60C数据表

制造商: ON Semiconductor

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-220-3

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 600 V

Id-连续漏极电流: 12 A

Rds On-漏源导通电阻: 650 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: 30 V

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 51 W

配置: Single

通道模式: Enhancement

封装: Tube

高度: 16.3 mm

长度: 10.67 mm

系列: FQPF12N60C

晶体管类型: 1 N-Channel

类型: MOSFET

宽度: 4.7 mm

商标: ON Semiconductor / Fairchild

正向跨导 - 最小值: 13 S

下降时间: 90 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 85 ns

工厂包装数量: 1000

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 155 ns

典型接通延迟时间: 30 ns

零件号别名: FQPF12N60C_NL

单位重量: 2.270 g