制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
RoHS: 详细信息
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V
集电极—射极饱和电压: 1.75 V
在25 C的连续集电极电流: 450 A
栅极—射极漏泄电流: 0.4 uA
Pd-功率耗散: 1.6 kW
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 125 C
封装: Tray
商标: Infineon Technologies
安装风格: Chassis Mount
CNHTS: 8541290000
HTS代码: 8541290095
栅极/发射极最大电压: +/- 20 V
MXHTS: 85412999
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 10
子类别: IGBTs
TARIC: 8541290000
零件号别名: FF300R12ME4BOSA1 SP000405060
单位重量: 345 g
