NTR4171PT1G P沟道MOS管 30V SOT-23-3优势产品原装现货进口热卖
NTR4171PT1G产品详细规格
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 3,000
FET 型 MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压(VDSS) 30V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 2.2A
Rds(最大)@ ID,VGS 75 mOhm @ 2.2A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 1.4V @ 250μA
栅极电荷(Qg)@ VGS 15.6nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 720pF @ 15V
功率 - 最大 480mW
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装 SOT-23-3 (TO-236)
包装材料 Tape & Reel (TR)
包装 3SOT-23
渠道类型 P
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 30 V
最大连续漏极电流 3.5 A
RDS -于 75@10V mOhm
最大门源电压 ±12 V
典型导通延迟时间 9 ns
典型上升时间 16 ns
典型关闭延迟时间 25 ns
典型下降时间 22 ns
工作温度 -55 to 150 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
最大门源电压 ±12
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
标准包装名称 SOT-23
最低工作温度 -55
封装 Tape and_Reel
最大漏源电阻 75@10V
最大漏源电压 30
每个芯片的元件数 1
供应商封装形式 SOT-23
最大功率耗散 1250
最大连续漏极电流 3.5
引脚数 3
铅形状 Gull-wing
FET特点 Logic Level Gate
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 2.2A (Ta)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 1.4V @ 250μA
供应商设备封装 SOT-23-3 (TO-236)
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 75 mOhm @ 2.2A, 10V
FET型 MOSFET P-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 480mW
漏极至源极电压(Vdss) 30V
输入电容(Ciss ) @ VDS 720pF @ 15V
闸电荷(Qg ) @ VGS 15.6nC @ 10V
封装/外壳 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 NTR4171PT1GOSCT
类别 Power MOSFET
配置 Single
外形尺寸 3.04 x 1.4 x 1.01mm
身高 1.01mm
长度 3.04mm
最大漏源电阻 150 mΩ
最高工作温度 +150 °C
最大功率耗散 1.25 W
最低工作温度 -55 °C
包装类型 SOT-23
典型栅极电荷@ VGS 15.6 nC @ -10 V
典型输入电容@ VDS 720 pF @ -15
宽度 1.4mm
工厂包装数量 3000
产品种类 MOSFET
晶体管极性 P-Channel
源极击穿电压 +/- 12 V
连续漏极电流 - 3.5 A
正向跨导 - 闵 7 S
安装风格 SMD/SMT
RDS(ON) 90 mOhms
功率耗散 1.25 W
封装/外壳 TO-236
上升时间 16 ns
漏源击穿电压 - 30 V
RoHS RoHS Compliant
下降时间 22 ns
漏极电流(最大值) 3.5 A
频率(最大) Not Required MHz
栅源电压(最大值) ?12 V
输出功率(最大) Not Required W
噪声系数 Not Required dB
漏源导通电阻 0.075 ohm
工作温度范围 -55C to 150C
极性 P
类型 Power MOSFET
元件数 1
工作温度分类 Military
漏极效率 Not Required %_
漏源导通电压 30 V
功率增益 Not Required dB
弧度硬化 No
Continuous Drain Current Id :-3.5A
Drain Source Voltage Vds :-30V
On Resistance Rds(on) :0.05ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs :-10V
Threshold Voltage Vgs :-1.15V
功耗 :1.25W
Operating Temperature Min :-55°C
Operating Temperature Max :150°C
Transistor Case Style :SOT-23
No. of Pins :3
MSL :MSL 1 - Unlimited
SVHC :No SVHC (16-Dec-2013)
Weight (kg) 0.000033
Tariff No. 85412900
associated RE906
80-4-5
香港鑫锐保证原装进口现货
鑫锐电子(香港)有限公司,18年元器件专业分销商(授权与非授权品牌),一站式终端厂家配套:(质量保证诚信经营)是公司的承诺,为客户提供品牌原装半导体,电子元器件终端配套市场,专注ESD/TVS静电保护二极管、LDO低功耗稳压管、MOS管、电池充电和管理电源、LED、光电耦合器、电阻电容、PCB解决方案领域(无线蓝牙解决方案、蓝牙运动版解决方案一站式、音箱、无线移动电源)。
主营产品:ESD静电二极管、TVS二极管、电池充电和管理电源、MOS管、LDO低功耗稳压管。
公司:鑫锐电子(香港)有限公司
联系人:姚小姐
手机:13725590222
电话:0755-83780666/83265111
传真:0755-82800889
QQ:3373563833
地址:深圳福田区福田北路华强广场B座26B
公司网址:www.xrdz-hk.com
公司部分现货:
TLV70433DBVR、TP4101、TP5100、TP4056、RT9013-33PB、TPS73618DBVR、MIC5255-3.0YM5、CDSOT23-T36C、CDSOT23-24C、TL431CDBZR、TL431IDBZR、TLV1117CDCYR、LM317EMPX、NCP1117ST33T3G、NCP1117ST50T3G、PESD5V0V1BL、PESD5V0V1BSF、PESD2CAN、PESD5V0S1BA、PESD12VS2UT、PESD15VL2BT、PESD36VS2UT、PESD3V3L1BA、PESD24VL2BT、IP4220CZ6、IP4223CZ6、BCP56-16、BCP51-16、BSN20、uClamp0511T.TCT、SRV05-4.TCT、RCLAMP0531T.TCT、RCLAMP0502A.TCT、SD05C.TCT、SR05.TCT、RCLAMP0524J.TCT、ESD5Z2.5T1G、ESD5Z3.3T1G、CM1213A-01SO、CM1213A-04SO、NTR4501NT1G、NTR4502PT1G、NTR4170NT1G、NTR4171PT1G、RLST23A032C、RLST23A0122C、RLST23A052C、PRTR5V0U2X、GBLC03CI-LF-T7、GBLC03C-LF-T7、GBLC05CI-LF-T7、GBLC05C-LF-T7、GBLC08CI-LF-T7、GBLC08C-LF-T7、GBLC12CI-LF-T7、GBLC12C-LF-T7、GBLC15CI-LF-T7、GBLC24CI-LF-T7、GBLC24C-LF-T7、PSD03C-LF-T7、PSD05-LF-T7、PSD05C-LF-T7、PSD08C-LF-T7、PSM712-LF-T7、AO3400、AO3400A、AO3401A、AO3402、TPSMB6.8CA-E3/52、TPSMB6.8A、TPSMB47A、TPSMB43A、TPSMB39A、TPSMB36A、TPSMB33A、TPSMB30A、STTH208等等
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NTR4171PT1G NTR4171PT1G NTR4171PT1G NTR4171PT1G NTR4171PT1G NTR4171PT1G NTR4171PT1G NTR4171PT1G NTR4171PT1G NTR4171PT1G NTR4171PT1G NTR4171PT1G NTR4171PT1G NTR4171PT1G NTR4171PT1G
台湾媒体报道,高通、苹果专利大战愈演愈烈,势必要从2018年一路演到2019年,蒂里亚斯研究公司(Tirias Research)首席分析师吉姆·麦格雷戈(Jim McGregor)直言,随着双方的“针锋相对”持续升温,恐让整个无线产业的命运陷于危机。
据台湾《中国时报》2018年12月27日报道,苹果和高通之间的专利战正持续升温,麦格雷戈就指出,其实双方的争议重点在于知识财产权(IP)的授权模式,以及和无线产业有关的授权费率,这不仅是一场苹果与高通的战争,而是攸关整个无线产业,作为一家领先的创新者和IP授权商,“高通既不是第一家也不会是最后一家成为苹果目标的公司。
报道援引麦格雷戈的话说,专利代表IP,在许多情况下,IP被独家保留作为一项竞争门槛,不会轻易授权给其他公司。因此,若IP受到侵犯,持有人可以通过法律手段寻求赔偿或采取其他行动。有些情况下,IP持有人愿意无偿提供其IP给任何人使用,这通常是为了建立开源(open-source)的硬件或软件标准,而在其他情况下,IP持有人选择将IP授权给价值链的特定部分或可能是价值链的所有部分。
报道称,以半导体产业的情况来看,IP通常由IP持有人授权给半导体供货商,然而,在无线产业中,IP被授权给ODM或OEM,主要是终端装置制造商,包括智能型手机以及汽车等,这种授权模式是由爱立信、摩托罗拉和诺基亚等早期无线供货商开创的,然而,无线产业经过多年来的变化已经与早期不一样了。
报道称,麦格雷戈表示,一般的智能型手机可能使用高达数百万项专利,包括从用于通讯的无线网络技术到手机上执行的用户接口和APP等,更重要的是,它让任何人都可以在当今世界上最流行的运算和通讯平台上进行创新,以半导体产业而言,它让任何半导体公司都可以因此进入市场,而不必担心IP持有人或竞争对手采取报复行动。
报道认为,在智能型手机发展初期,德仪是当时移动SoC(系统单芯片)领域的领导厂商之一,同时还有十几家半导体公司积极切入这个市场,随着时间的推移,诸如英特尔、超威和德仪等陆续退出市场,而其他业者,如联发科和几家大陆新创公司则开始进入市场,苹果、华为和三星等也开始设计自家的SoC,在此同时,移动SoC的性能已经进步到接近PC处理器了,无线接口达到或超过了有线接口,智能型手机已经成为全球一半以上人口提供拍照、录像、玩游戏、看影片、电子通讯和社交网络等应用的主要装置。
报道称,苹果通过其IP合作伙伴来支付授权费用,特别是SEP,根据蒂里亚斯研究公司估计,苹果为每个iPhone付给所有IP持有人的数百项专利使用费还不到20美元。这表示在该公司数十亿美元的研发投资中,iPhone X的成本占不到2%,此外,这些比重还会随着时间演进而降低,即使整体专利库增加了,但是,苹果每让IP成本降低1美元,就可以带来每年超过2亿美元的利润。苹果也向全球监管机构提出投诉,以寻求改变授权模式,要求将半导体IP授权推向芯片供货商,而非OEM,这可能会迫使所有的IP持有人直接授权给智能型手机价值链的特定部分,而不是完全着眼于终端装置,整体来说,授权费用的显著降低以及授权模式的改变,可能对无线市场带来巨大影响。