RCLAMP0504F.TCT SEMTECH 二极管 RCLAMP Series 25 V 3 pF SMT RailClamp? Low Capacitance TVS Diode Array - SC-70-6
RCLAMP0504F.TCT产品详细规格
规格书 RCLAMP0504F.TCT datasheet 规格书
RClamp0504F
RCLAMP0504F.TCT datasheet 规格书
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 3，000
电压 - 反向隔离（典型值） 5V
- 击穿电压 6V
功率（瓦特） 150W
极化 4 Channel Array - Bidirectional
安装类型 Surface Mount
包/盒 6-TSSOP， SC-88， SOT-363
供应商器件封装 SC-70-6
包装材料 Tape & Reel (TR)
供应商封装形式 SC-70
标准包装名称 SOT-323
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 125
配置 Quad
方向类型 Uni-Directional
包装高度 0.9
安装 Surface Mount
最大钳位电压 25
最大工作电压 5
电容值 15
每个芯片的元件数 4
包装宽度 1.25
PCB 6
包装长度 2
最低工作温度 -55
最大泄漏电流 3
类型 Diode Arrays
引脚数 6
最大ESD保护电压 15@Air Gap/8@Contact Disc
铅形状 Gull-wing
封装 Tape & Reel (TR)
电压 - 钳位（最大） @ IPP 23V
安装类型 Surface Mount
双向通道数 4
供应商设备封装 SC-70-6
电压 - 击穿（最小值） 6V
电压 - 反向隔离（标准值） 5V (Max)
应用范围 Ethernet， HDMI
工作温度 -55°C ~ 125°C
电容@频率 3pF @ 1MHz
标准包装 3，000
电源线保护 Yes
功率 - 峰值脉冲 150W
电流 - 峰值脉冲（ 10/1000μS ） 6A (8/20μs)
封装/外壳 6-TSSOP， SC-88， SOT-363
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 RCLAMP0504FCT
钳位电压 25 V
漏电流（最大） 3uA
工作温度范围 -55C to 125C
极性 Uni-Directional
元件数 1
工作温度分类 Military
峰值脉冲功率耗散 150 W
反向击穿电压 6 V
峰值脉冲电流 6 A
反向断态电压 5 V
测试电流（It ） 1 mA
弧度硬化 No
安装风格 Surface Mount
工作温度最高摄氏度。 125C
工作温度敏度。 -55C
封装/外壳 SC-70
产品长度（mm ） 2 mm
产品厚度（毫米） 1.25 mm
产品高度（mm ） 0.9 mm
电容值 15pF
抑制器类型 TVS
钳位电压（最大） 25V
工作电压（最大值） 5V
泄漏电流 3uA
工作电压 5V
TVS Polarity :-
Reverse Stand-Off Voltage Vrwm :5V
Breakdown Voltage Max :6V
Clamping Voltage Vc Max :25V
Peak Pulse Current Ippm :6A
Diode Case Style :SC-70
No. of Pins :6
MSL :MSL 1 - Unlimited
Weight (kg) 0
Tariff No. 85411000
associated RE901
631954
香港鑫锐保证原装进口现货
RCLAMP0504F.TCT RCLAMP0504F.TCT RCLAMP0504F.TCT RCLAMP0504F.TCT RCLAMP0504F.TCT RCLAMP0504F.TCT RCLAMP0504F.TCT RCLAMP0504F.TCT RCLAMP0504F.TCT RCLAMP0504F.TCT
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香港鑫锐保证原装进口现货
功率器件受下游新能源汽车、变频家电、军工产品等市场领域需求爆发的影响，上游晶圆供不应求，供给紧张，功率器件持续缺货，厂商已经数次提价，交货期仍在延长，目前MOS、IGBT等功率器件仍在涨价。
在产品涨价的行业背景下，华微电子作为2017年功率半导体十强营收第一名，利润得到极大提升，今年营收利润依旧颇丰，且被长期看好，华微电子CEO聂嘉宏承诺未来三年时间均不减持，表明其对华微电子长期发展的看好。
近日，华微电子连发两篇公告，一篇是《关于公司董事、CEO、董事会秘书聂嘉宏先生承诺不减持公司股份的公告》，另一篇则是《关于2017年限制性股票激励计划首次授予部分第一期解除限售条件成就的公告》，公告类型都属利好。前者显示公司CEO聂嘉宏2018年12月25日起至2021年12月24日止三年时间均不减持，充分表明其对华微电子长期发展的看好，后者则是因为华微电子2017年净利润较2016年增长133.52%，且参与考核人员绩效考核全部达标，公司管理能力得到市场检验。
国产替代需求催动业绩增长
据Yole Developpement统计结果显示，2015年中国功率器件市场销售额占全球总规模的39%，已成为全球最大的功率半导体器件应用市场;而中国半导体协会资料显示，2017年中国功率半导体市场规模为2170亿元，同比增长3.93%。预计2018年中国功率半导体市场规模为2264亿元，同比增长率为4.3%。
行业市场空间较大的同时，功率半导体行业国产化程度仍然较低。根据IHS的统计，全球功率半导体前10大厂商占据了全球市场的60%，其中英飞凌占比18.5%，排名第一，第二位安森美占比9.2%，第三为意法半导体，占比5.3%，以2017年营收规模来看，华微电子在我国功率半导体厂商规模最大，但仍仅相当于全球营收规模最大的功率半导体厂商英飞凌中国区域营收的1/8。
然而，从功率半导体行业的特点来看，国产替代的需求占比将不断提升。一方面，从现状来看，功率半导体由于产品迭代速度相对较慢，对制程、晶圆线和投资规模的要求相对较低，以及全球华人功率半导体人才较为丰富等原因，在短期内实现工艺技术的突破，实现国际一流的产品性能的可能性相对更高;另一方面则因为国内功率半导体的下游客户市场主要为国产厂商，而面对国内的下游厂商，国内的半导体功率企业在和国外的企业竞争时往往具备成本与定制化的优势。
在这些因素共同作用下，华微电子最近几年的业绩实现了较快的增长，公司2017年报显示，华微电子当年营业收入同比增长17.12%，净利润同比增长133.52%，超额完成任务。
持续投入研发保持领先地位
华微电子成立于1999年，2001年成功登陆上市，获得资本支持。华微电子是国内功率器件领域首家上市公司，在功率半导体器件设计研发、芯片加工、封装及销售方面拥有52年的生产经营历史。
成立以来，华微电子不断加大研发投入，持续推进超结MOS、SGT MOS、IGBT、可控硅以及TrenchSBD等五大工艺平台的建设， 其生产的FS-Trench IGBT、FRD等高端功率器件在智能小家电、变频家电、充电桩等领域已经实现批量销售;同时该公司不断优化高压MOS、SBD产品的性能指标，已经成功进入DELL、DIODES等大客户系统。
有统计结果显示，华微电子多年以来研发费用占总营收的比例基本上维持在6%左右，在同行业上市公司中处于领先水平，2018H1研发投入为5100万元，同比增长15.7%，占总营收的6.3%。 据了解，华微电子会重点推进第三代新材料器件的研发和制造工作，以实现中高端技术产品的市场规模化应用，以保持持续的市场领先地位。
在持续投入和积累下，华微电子已经成为国产功率器件的龙头。根据2017年CSIA(中国半导体行业协会)统计的中国半导体功率器件十强企业中，华微电子排名第一。
目前华微电子拥有 4 英寸、 5 英寸及 6 英寸等多条功率半导体晶圆生产线，截至 2017 年末各尺寸晶圆生产能力合计 330 万片/年，封装资源为 24 亿只/年;此外，公司还募投项目预计2019年下半年投产，此后华微电子将具有加工8英寸芯片24万片/年的加工能力，项目全部达产后，预计实现年销售收入9.18亿元，生产期平均年税后净利润为1.89亿元。
整体来看，国产替代需求将持续催动华微电子的业绩增长，其自身实力也随之更进一层。华微电子除了去年超额完成任务外，今年业绩表现同样亮眼，三季报显示，公司1-9月实现营业收入12.52亿元，同比增长11.69%，实现净利润0.78亿元，同比增长40.49%。按照此次股权激励方案来看，2018年度公司净利润规模将达到10154.68万元，本次激励对象获得的股票方能解除限售，否则将由公司回购注销，这可以说是公司与管理层进行的一次业绩对赌，这也从侧面证实了华微电子对未来发展的信心。
