类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 Texas Instruments
系列 NexFET??
包装 带卷（TR）
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 3V，8V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 30 毫欧 @ 4A，8V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.8V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 2.7nC @ 4.5V
Vgs（最大值） +10V，-8V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 340pF @ 15V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 2.3W（Ta）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 6-WSON（2x2）
封装/外壳 6-WDFN 裸露焊盘
