PESD3V3L1BA产品详细规格

配置 Single

外形尺寸 1.8 x 1.35 x 1.05mm

方向类型 Bi-Directional

ESD保护 Yes

身高 1.05mm

长度 1.8mm

最大钳位电压 26V

最高工作温度 +150 °C

最大峰值脉冲电流 18A

最大反向漏泄电流 2μA

最大反向防区外电压 3.3V

最小击穿电压 5.8V

最低工作温度 -65 °C

安装类型 Surface Mount

每个芯片的元件数 1

包装类型 UMD

峰值脉冲功率耗散 500W

引脚数 2

测试电流 5mA

宽度 1.35mm

弧度硬化 No

安装风格 Surface Mount

工作温度最高摄氏度。 150C

工作温度敏度。 -65C

封装/外壳 SOD-323

产品长度（mm ） 1.8 mm

产品厚度（毫米） 1.35 mm

产品高度（mm ） 1.05 mm

电容值 101pF

抑制器类型 TVS

钳位电压 26V

泄漏电流 2uA

工作电压 3.3V

二极管类型 :Bidirectional TVS

Clamping Voltage Vc Max :6.4V

Diode Case Style :SOD-323

No. of Pins :2

MSL :-

SVHC :No SVHC (20-Jun-2013)

Alternate Case Style :SC-76

击穿电压 :6.4V

Breakdown Voltage Max :6.9V

Breakdown Voltage Min :5.8V

Breakdown Voltage Range :5.8V to 6.9V

Breakover Voltage Min :5.8V

Capacitance Cd @ Vr Max :95pF

Capacitance Cd @ Vr Typ :101pF

Clamping Voltage @ 8/20μs Max :26V

二极管配置 :Bidirectional

Operating Temperature Max :150°C

Operating Temperature Min :-65°C

工作温度范围 :-65°C to +150°C

Peak Pulse Current Ippm :18A

Peak Pulse Power :500W

引脚配置 :1

Reverse Stand-Off Voltage Vrwm :3.3V

SMD Marking :AB

Stand-off Voltage :3.3V

TVS Polarity :Bidirectional

Weight (kg) 0.000004

Tariff No. 85411000

香港鑫锐保证原装进口现货

鑫锐电子（香港）有限公司，18年元器件专业分销商 (授权与非授权品牌) ，一站式终端厂家配套：(质量保证 诚信经营)是公司的承诺，为客户提供品牌原装半导体，电子元器件终端配套市场，专注ESD/TVS静电保护二极管、LDO低功耗稳压管、MOS管、电池充电和管理电源、LED、光电耦合器、电阻电容、PCB解决方案领域（无线蓝牙解决方案、蓝牙运动版解决方案一站式、音箱、无线移动电源）。

主营产品:ESD静电二极管、TVS二极管、电池充电和管理电源、MOS管、LDO低功耗稳压管。

公司:鑫锐电子(香港)有限公司

联系人:姚小姐

手机:13725590222

电话:0755-83780666/83265111

传真:0755-82800889

QQ: 3373563833

地址:深圳福田区福田北路华强广场B座26B

公司网址：www.xrdz-hk.com

公司部分现货：

TLV70433DBVR、TP4101、TP5100、TP4056、RT9013-33PB、TPS73618DBVR、MIC5255-3.0YM5、CDSOT23-T36C、CDSOT23-24C、TL431CDBZR、TL431IDBZR、TLV1117CDCYR、LM317EMPX、NCP1117ST33T3G、NCP1117ST50T3G、PESD5V0V1BL、PESD5V0V1BSF、PESD2CAN、PESD5V0S1BA、PESD12VS2UT、PESD15VL2BT、PESD36VS2UT、PESD3V3L1BA、PESD24VL2BT、IP4220CZ6、IP4223CZ6、BCP56-16、BCP51-16、BSN20、uClamp0511T.TCT、SRV05-4.TCT、RCLAMP0531T.TCT、RCLAMP0502A.TCT、SD05C.TCT、SR05.TCT、RCLAMP0524J.TCT、ESD5Z2.5T1G、ESD5Z3.3T1G、CM1213A-01SO、CM1213A-04SO、NTR4501NT1G、NTR4502PT1G、NTR4170NT1G、NTR4171PT1G、RLST23A032C、RLST23A0122C、RLST23A052C、PRTR5V0U2X、GBLC03CI-LF-T7、GBLC03C-LF-T7、GBLC05CI-LF-T7、GBLC05C-LF-T7、GBLC08CI-LF-T7、GBLC08C-LF-T7、GBLC12CI-LF-T7、GBLC12C-LF-T7、GBLC15CI-LF-T7、GBLC24CI-LF-T7、GBLC24C-LF-T7、PSD03C-LF-T7、PSD05-LF-T7、PSD05C-LF-T7、PSD08C-LF-T7、PSM712-LF-T7、AO3400、AO3400A、AO3401A、AO3402、TPSMB6.8CA-E3/52、TPSMB6.8A、TPSMB47A、TPSMB43A、TPSMB39A、TPSMB36A、TPSMB33A、TPSMB30A、STTH208、SGM2036-3.3YUDH4G/TR等等

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鑫锐电子（香港）是一家专业从事集成电路配套的供应商，在本行拥有多年的销售经验！

备有大量现货库存，诚信为本，客户至上，为客户把产品的质量关！

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经过两年多的涨价潮之后，DRAM的风光不再，10月份调研报告显示DRAM内存现货价格跌了10%，4GB及8GB模组的价格都在跌，DRAM内存芯片持续了两年多的牛市要转向熊市了。

DRAM内存降价已是必然，内存大厂也纷纷消减明年DRAM产能。不过这内存涨的时候猛涨不止，降价的势头也同样比预期更狠。

今(4)日最新消息，今年第四季DRAM价格正式反转向下，11月合约价甚至出现二次下跌的状况，以目前成交价格来看，已有部分比重的合约价改以月方式进行议价，显示买方对于DRAM价格后势看法悲观，预计2019年第一季DRAM合约价跌幅将持续扩大。

此外，第四季DRAM平均销售单有近8%的跌幅，其中以标准型存储器、服务器存储器与利基型存储器为最，季跌幅都接近10%;而移动存储器由于先前缺货时涨价幅度较小，因此第四季的跌幅相对较小，仅约5%。

面对当前DRAM价格一路走跌的形势，各大内存厂商对未来的价格走势有何看法?

一种是持保守的态度。

针对明年存储器价格走势，十铨科技总理理陈庆文相对保守看待，他提到，目前看DRAM、NAND Flash明年价格将双双跌价，价格跌幅都恐达三成，预计明年上半年价格跌势较为明显，明年第三季起，随着5G带动服务器需求，产业有机会触底反弹，明年下半年价格有机会逐步止跌。

同样的，DRAM大厂南亚科也曾表示，第四季DRAM市况较先前转趋保守，并将今年资本支出由240亿元新台币降至210亿元新台币。维持2018年的位元出货量成长目标为48%，2019年目标为14~16%的年成长。

另一种则保持相对乐观的态度。

展望明年上半年，威刚科技则持不同看法，由于DRAM新产能增加有限，加上电竞、IoT、车载等新需求动能持续成长，预期明年上半年DRAM价格仍将相对稳定。

另外，南亚科总经理李培瑛表示，明年DRAM需求仍不悲观，供应商端也理性控制产出，不认为明年在报价上会有剧烈的波动，中美贸易战之国际局势将是影响市场的最大关键因素。

李培瑛分析，全球电子产品走向智能化，存储器是最关键的零组件，需求面没有太悲观。供给方面，DRAM供应商现在变得比较理性。预期明年虽有季节性变化，尚不会有急剧跌价的问题，明年DRAM价格预计出现合理的调整，估计会持续缓跌一季或者二季。

但是，除去这些原因，他们都一致提到了中美贸易战的影响，明年市场的关键依旧在于国际局势。虽说G20峰会之后，中美关系有所缓和，但是未来政策上稍有变动，谁也不知道会有怎样的影响。

展望明年第一季，DRAMeXchange 指出，供给面较2018年第四季持续增加，主要来自于1Ynm制程良率持续改善、投入比重持续增加，以及三星平泽厂在今年第四季的持续增产;而每年首季都是传统需求淡季，加上2019年第一季智能手机的出货力度较往年更为疲弱，恐将造成移动存储器价格跌幅扩大。从整体 DRAM价格来看，明年第一季跌幅较今年第四季更为显著，恐怕是不可避免的状况。