深圳市汇创佳电子科技有限公司0755-8254549813538016218QQ：531398920朱先生
数据列表 SPW47N60C3
标准包装 240
包装 管件
零件状态 不適用於新設計
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管-FET，MOSFET-单
系列 CoolMOS??
规格
FET类型 N沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 650V
电流-连续漏极（Id）（25°C时） 47A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn） 10V
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值） 70毫欧@30A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值） 3.9V@2.7mA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值） 320nC@10V
Vgs（最大值） ±20V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） 6800pF@25V
FET功能 -
功率耗散（最大值） 415W（Tc）
工作温度 -55°C~150°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 PG-TO247-3
封装/外壳 TO-247-3
