深圳市汇创佳电子科技有限公司0755-8254549813538016218QQ：531398920朱先生
数据列表 BSS123LT1Datasheet
标准包装 3，000
包装 标准卷带
零件状态 在售
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管-FET，MOSFET-单
系列 -
规格
FET类型 N沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 100V
电流-连续漏极（Id）（25°C时） 170mA（Ta）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn） 10V
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值） 6欧姆@100mA，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值） 2.8V@1mA
Vgs（最大值） ±20V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） 20pF@25V
FET功能 -
功率耗散（最大值） 225mW（Ta）
工作温度 -55°C~150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 SOT-23-3（TO-236）
封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
