深圳市汇创佳电子科技有限公司0755-8254549813538016218QQ：531398920朱先生
数据列表 STN4NF03L
标准包装 4，000
包装 标准卷带
零件状态 在售
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管-FET，MOSFET-单
系列 STripFET??II
规格
FET类型 N沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 30V
电流-连续漏极（Id）（25°C时） 6.5A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn） 5V，10V
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值） 50毫欧2A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值） 1V250μA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值） 9nC10V
Vgs（最大值） ±16V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） 330pF25V
FET功能 -
功率耗散（最大值） 3.3W（Tc）
工作温度 -55°C~150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 SOT-223
封装/外壳 TO-261-4，TO-261AA
